フォトリソグラフィ

フォトリソグラフィは、半導体デバイスや集積回路（IC）の製造において、微細なパターンをウェハー上に転写するプロセスの一つで、現在の半導体製造技術において非常に重要な役割を果たしています。このプロセスは、フォトマスク（レチクル）と呼ばれるマスターテンプレートを使用し、紫外線、深紫外線、極端紫外線（EUV）などの光源を用いてパターンを転写します。

フォトリソグラフィの主なステップは以下の通りです。

🔵ウェハーの表面にフォトレジスト（感光性のポリマー）を塗布します。スピンコートと呼ばれる方法で均一な膜厚を実現します。
🔵フォトマスクを介して光源を照射し、フォトレジストにマスクのパターンを露光します。露光プロセスは、ステッパーまたはスキャナーと呼ばれる機器で行われます。
🔵露光後、ウェハーを現像処理して、フォトレジスト上にパターンを形成します。現像によって感光部分と非感光部分が分離し、必要なパターンが明確になります。
🔵エッチング工程でウェハーにパターンを転写します。フォトレジストがマスクとして機能し、エッチング液やプラズマによって不要な部分が除去されます。
🔵最後に、フォトレジストを除去し、ウェハー表面に微細なパターンが形成された半導体デバイスが完成します。

フォトリソグラフィ技術の進歩は、半導体の微細化や高集積化に貢献しており、今後も技術開発が続くと予想されます。特に、EUVリソグラフィは、次世代の半導体製造技術として注目されています。