個別半導体

個別半導体は、電子の移動が制御されることによって、電気的特性を持つ物質です。半導体は、導体（金属など）と絶縁体（ガラス、ゴムなど）の中間的な性質を持ち、温度や電圧によってその導電性が変化します。一般的に、半導体はシリコン（Si）やゲルマニウム（Ge）などの元素半導体と、化合物半導体（例：ガリウム砒素、GaAs）に分類されます。

半導体の電気的特性は、エネルギーバンド構造によって理解されます。エネルギーバンドは、伝導帯と価電子帯に分けられ、両者の間にはエネルギーギャップ（バンドギャップ）が存在します。半導体では、バンドギャップが小さく、外部エネルギーを加えることで価電子が伝導帯へ移動し、電流が流れるようになります。

半導体デバイスは、主にダイオード、トランジスタ、集積回路（IC）などに分類されます。ダイオードは、整流器として使われ、一方向の電流のみを通過させます。トランジスタは、電流や電圧の増幅、スイッチング機能を持ち、電子機器の基本要素として広く使用されています。集積回路（IC）は、複数のトランジスタや抵抗、コンデンサが1つのチップに集約され、デジタル・アナログ回路を構成します。

近年の半導体技術の進歩は、微細化、高速化、省エネルギー化が主な特徴です。さらに、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などの新素材の開発や応用が期待されており、次世代の半導体技術の発展が続くと予想されます。このように、半導体は現代の電子機器や情報通信技術の基盤となっており、今後も引き続き研究と開発が進められる分野です。