「連続発振レーザ結晶化とその応用」

第9回 微細加工プロセス技術セミナー(2021年10月29日)
【チュートリアル】
講師:広島大学 黒木伸一郎
レーザアニール技術は局所的(100μm以下)に短時間(ミリ秒以下)で高温加熱(1000℃以上)が可能であり、基板上の局所加熱や薄膜での結晶成長に有用です。Si薄膜と強誘電体膜を例に結晶成長の例を示し、また結晶面方位制御による電子電界移動度1000cm2/Vsを超える高移動度Si薄膜トランジスタについても解説します。

関連WEBサイト
http://www.nanofab.hiroshima-u.ac.jp/
https://nsn.kyoto-u.ac.jp/

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