未来の産業を担う三次元積層半導体(3D-IC)の現況と今後の展開―東北大学3D-IC研究開発拠点「GINTI」の活動成果より―

講師:東北大学大学院工学研究科(未来科学技術共同研究センター 兼務) 准教授 福島 誉史

人工知能社会の本格的な到来により、HPCやモバイル用途だけではなく、ニューロコンピュータや量子コンピュータ、ポスト5Gなど、ロジック/メモリ、アナログ/デジタル混載の新しい半導体システムに対する要求が高まり、世界中で研究開発競争が激化している。この中心となるのが三次元積層半導体(3D-IC)である。本講演では、世界が注目する3D-ICの動向や、東北大で誕生し、我々が牽引してきた3D-ICを基盤とするシステム集積に焦点を当てた世界初の研究開発拠点「GINTI: Global INTegration Initiative」の成果を紹介する。GINTIは、300mmウエハを用いて最先端の3D-ICを一貫して柔軟に試作・製造できる国内唯一、世界でも稀なクリーンルームを東北大学近隣のパナソニック仙台工場(宮城県名取市)内に整備した。特に、世界規模で共同研究などを展開する先駆的なGINTIの試作実績やGINTIの多様な開発技術と活動現況について詳しく言及する。

 

【書き起こし】未来の産業を担う三次元積層半導体(3D-IC)の現況と今後の展開―東北大学3D-IC研究開発拠点「GINTI」の活動成果より― 

(00:00) ご紹介どうもありがとうございました東北 大学の福島と申します 本日はこのような機会を与えていただき 日中の先生方スタッフの皆様そして本日お 忙しいなかあー主張していただいている皆 様に感謝申し上げます 私の方で今日ご紹介する人ティの内容です がまぁタイトルとしては未来の産業担う3 次元積層半導体3 d ic の現場勉強 と今後の展開 東北大学3 d らしい研究開発拠点人 t の活動成果よりということで 発表さを紹介させていただきます ますリリア医師はですねあの最近今年に なってから特に台湾の tsmc が つくばにま材料ですけども拠点をつくると いうことで話題にもなっている今注目の半 導体の一つでございます 私はまああのメインは今機械知能機能創成 専攻という機械系の方で殉教地をしており まして兼務で こちら日中の方のですね情報環境調和型 自己組織化ヘテロ集積システムの開発 プロジェクトのプロジェクトリーダーを
(01:04) やっております また勤務として最近は医工学研究科などに も 3回押しております 今日発表する内容です紹介する内容ですが 最初に3 d 愛しの歴史と研究開発動向 についてご説明した後に人体におけるう3 d ic tsv 技術とまぁ経ている 主席に関する 研究実績についてご紹介した後まあ3 d ic を含めた今後の半導体の展開につい てご説明しまとめとさせていただきます とこれはあの私のプロジェクト情報環境 調和型 アシスシステムに社会に向けた研究開発と いうことで情報環境まあ infosphere information アンダーと atmosphere をとって infosphere というふうに選ん でおりますがこれは何かと言いますとまぁ 昨今膨大なビッグデータがですねクラウド に集中するという中で人工知能が品悪化 するという流れの中でですね今後小熊
(02:09) クラウドに集中させないいわゆるエッジ サーバが重要になってくる時代があ訪れる ということで毎時サーバーはまあ乗り物や 身に着けるもの a man みなさんの身近なところに 色々と入ってくるわけですが まあそのようなエッジサーバを返して情報 網が知能化された環境になってくる中で 重要となる半導体まあ主にメモリーと ロジックを中心としたシステムでござい ますがこのヘテロ集積化の半導体5が非常 に 重要となってくるという背景の中でござい ます こちらはまああの 経産省のページ等でよく観ている方も いらっしゃるかと思いますが半導体の市場 予測ということで まあ今2020年くらいですからここです けれども傾向としては変わらずにろじぇく とメモリーガーナまあ7割くらいを占めて その他の半導体がま3割ぐらいという状況 ろじぇくとメモリは2030年には出荷額 がそれぞれ30兆円を超えて系70兆円 トータル2030年には100兆円の市場
(03:14) が 到来するというふうにハード隊の方世界で は言われております まあ 2030年に世界市場が4兆円に淘汰する とは言われているまあパー半導体なんかと 比べてもですねええメモリーとろじぇくと いうのは非常に規模の大きい 市場を誇っているということでございます メモリの中大きくはエマリーラムと何度の メモリが占めているわけでございますが まあこういう状況でございましてまロジェ クトメモリの重要性というのは引き続き 継続していくと こちらはですねまぁ10日ほど前の mit のテクノロジーレビューで我々の研究を まあエンカレッジするような記事が出てた のでちょっとご紹介いたしますがまぁ今井 t の記事大記者がですね md 山 スタンフォードの先生たちから聞いたあ 内容へ記事にまとめたものですので では8私が直接というわけではないんです けれどもまあここでシリコントランジスタ に変わるテクノロジーはということで5つ 挙げておりますスピントロニクスメモリ
(04:20) スターカーボンナノチューブ dna コンピューティング 分子エレクトロニクスと まあその中でこの記者が言っているのは まあスピントロニクス位についてはまあ 2012年ぐらいからですね まあスピン注入メモリーというのが雨製造 されていてまあ一部のまだ特殊な分野では 非常によく使われているということで まだまだ材料開発等の開発の余地があると いうようなコメントをしております で1本目もリスターこちらは正論理素子に も記憶素子にもなるような材料デバイスで ございますがまぁ今主に r 居らむとか の r イラム不揮発性メモリーとして まー称揚されましたがまあせいぜい実際 できていな3035832このメモリ スター含むチップが開発された程度で まだまだ 止まっていると 一方カーボンナノチューブ これも論文どうもたくさん出ておりまして まぁアカデミックな分野では非常に重要な 技術でもありますがまあ1万4千個の カーボンナノチューブのトランジスターが ようやく構成された程度でまぁシリコンに
(05:24) はまあ数百万からすごくこの実情このです ねトランジスターが組み込まれている シリコンにはほど遠いという ような葉記述でございますで一方 dena コンピューティングこれはまあコーヒー カップ1杯分の中に入りの dna 兄 世界中のすべてのデジタルデータが保存 できるという非常にまあ魅力的なり術で ございますがまぁ今よりも費用をですね 六家体以上下げる必要があるなんていう ことを言っておりますで分保安官とに靴 こちらに関してももう歴史も古くいろいろ と研究開発されている方もいらっしゃい ますがやはりなかなかええ 安定しないということでまだ誰も受賞でき てないのに近いということで まあここでまぁ言いたいのは最後に次に 起こるのはシリコンの結局は一人勝ちの 状況 まああの探求シリコンの単結晶派は 素晴らしいあの単結晶構造ですねうまく 使うということが今後も重要になってくる という風に最後にております でまぁ誰もが頼りにしていたその半導体の 性能向上 まムーアの法則がまあようやく終焉を
(06:27) 迎える で2028年ぐらいにはトランジスタの 微細化が止まるのではないかとここでは 予想しておりまして さらにその次 あるいは並行してですねチップの高速化と 効率化を続けるには集積回路3次元で 積み重ねる必要が出てくるという風にここ でも言われておりまして 結局は半導体の視力は今後もシリコン ですがまぁこういった一種の材料というの も組み込まれてくるだろうというような コメントでございます まあ従ってまぁ色々意見はあるかとは思い ますが今後もシリコンというのは非常に 重要な技術ですし その中で3次元にセックスをするというの はさらにその先の主役になるヘル技術と 言う可能性を秘めております そこでまぁ3 d アイシアのご存知の方 も多いと思いますが少し簡単なところから ご説明していきますと もともと我々のグループでへ3 d ic というのを開発した背景は 左かして大きくなる soc システム オンチップの二次元のジップですねこれの
(07:32) 例えばグローバル敗戦というのは非常に 長くなるミリメーターを超えるようなもの が出てくるというようなところで信号の 遅延を懸念してあるいはコストの増大を 懸念して各機能ブロックを分割して小さく してそれを薄くして縦に重ねて短い垂直 敗戦で重ねていけばまあ性能の スケーリングができるであろうという発想 でございますもちろんサイズも小さくなり ますしスピードが上がるだけではなく 扱い方によっては消費電力が下がるとか ですね将来的には人間の脳の情報処理に 近い音超並列な処理などに近いことが できるというふうに期待されているわけで ございます で tsv というのがまぁスルー シリコンビアで書く シリコンで薄くしたシリコンチップを縦に つなぐ配線で古くはアフルクアというか まぁ今でもまあ主流はその tsv 同士をまあ微細な判断のバンプで 接続していくというような形態が取られて おりますでまぁ右メーターこのような グローバル配線がたかだか数十ミクロンで
(08:36) ですね 上下のチップ間を接続するということでへ まあ線路のスケーリングに有利だと言うで ございます でまぁよくあの間違われる方も いらっしゃるんですがまあ何度の フラッシュメモリーでまああの記憶し屋 さんの中で有名な vics 技術という のはございますがこれはデバイスレベルの 3次元構造でございまして非常にまあナノ メータオーダーのですデバイスを今で 200装置覚醒キスをしてそれを貫通する 配線でよく方向のこのコンタクトを取って 学デバイスを接続するという nand フラッシュメモリーとああ ts 米 起こっとまぁ異なる技術でありますが nand フラッシュの世界でもこの 200そう近く集積したものをさらに戦争 やるって言うのはしんどいのでこの200 装置各種請求したものをさらに tsv で たダンリセキスをして 例えば戦争近くのですね nand フラッシュメモリを作ろうなんて動きも 実際に行われている技術でございます でまぁこの技術はもともと東北大学で声 ない先生が始めた技術でございましてまぁ
(09:41) もう1989年ですからもう30年位 以上前ですかね 2 いわゆる ウェハを接合して重ねるという接合技術を ベースにした3 d ic の提案を最初 になされて今に至ってきているという背景 がございます それでまあ簡単に3 d 足の構造を示し ますと黄色で示したのが tsv で ございますで雨水すくすくしたシリコンを 縦に重ねてへトランジスター度を結ぶ 息子の赤いところがアホ安打のバンプが今 まあ主流ではございますがまぁここも いろいろ技術革新がある要素はもっており ます a 基本的にはこのような構造のものを 押す riri 愛しいうふうに読んで おりましてまぁ最近 トランジスターレベルで 副菜一層目のトランジスターの上に例えば た決勝のシリコンを積んでレーザーで兄 いるして単結晶化してトランジスターを 作り込むとかあるいは sy ウエハーの
(10:45) シリコン層を転写して 3次元化せるなんていうまあいわゆる モノリシックと言われているものもあり ますがこちらはどちらかで言うとまぁ マルチりシックというかですね一枚岩では ないですがいろんなデバイス子それぞれ 作ってきたものを重ねるという発想で ございます a 8 何年か前にですね学生が作ってくれた非常 に わかりやすい3 d ic の利点を まとめた動画があるので音声は入っており ませんが私の方で簡単におさらいをさせて いただきます まあ3次元集積回路の利点3で足の利点と いうことで4つ挙げておりまして面積が 小さくなる配線が短くなる並列処理に向い ている消費電力が低くなるということとで 面積の減少というのはまあ見てはお別れ 通り活気のブロック分割して縦に重ねてい ますので暑さも薄くしてますので非常に 小さくなるということはわかりのとで ございます配線長というのは従来の横方向 の長い配線が tsv によって暇100 分の jal は1/1000の長さに
(11:51) なるわけですから 配線長が短いということも まあお分かりの通りかと思います で次がまあ並列処理という話に入っていく んですがまあ人間ののの大脳皮質なんか スライスすると縦構造に積層された構造が ありますのでまさに3 dac の構造に 非常に適した兄ターラー構造 ああああを取るわけでございますこれに よりまして従来は何 ghz という高 周波のクロックに合わせて信号逐次的に 起こっをが送っていたものを 超並列で送ることが可能になるということ でへぇ裂傷に非常に向いたアドバイスと いうことが言えると思います で a 結局最後は消費電力という事です が配線長が短いということでその分発生 する熱も少なくできるということでまぁ ただあのね積層すると熱がこもりやすい 構造になるという意見もありまして3 d
(12:54) ic の研究では放熱というのも一つ重要 なトピックとして研究されておりますが 将来的に例えば人間の脳の者へ シュール種処理週初中昼つとかですねそう 言ったらあ周波数ですね超並列の処理が できればそういったところも自然とか解決 して包み込むもあるかと存じます それでへとも我々の3 d 足の研究開発 の歴史はもう少し ご説明しておきますと もうこれ2,000円 2000年前の話も入ってますね私がまあ 参画する前柄のことでございますがもう すでに1999年 idm などで いわゆるイメージセンサーですねの3次元 構造にしたものというのは実際に大学の クリーンルームで aトランジスタ一から 作ってですねウエハーレベルの積層をして 小口径ですけどもウエハーレベルでセピス をしてイメージセンサーをつくって実証 するということがもう行われていました でまぁメモリーに関しても2000年の idm や私が参画した20034年
(13:59) ぐらい20層の積層とかですねこういった ところは 参画しましたがまぁ3 d メモリという のもこの時に出来上がっていたという基礎 はですねえ3 d の マイクロプロセッサーチップも2002年 ぐらいにその概念とですね実際の動作検証 も終わっているということでだいぶ早く ですねえ3 d ic というのは東北 大学で立ち上がった技術でございます デート産業的には例えば今イメージ センサー a 3層積層のイメージ センサーが2017年にソニーさんから ようやく出てきて まあにそうですとハイブリッドもんリング と言って tsv を使わずにですね直接 cmos イメージセンサーとロジックを 積層するような技術はもう少し早く発表さ れていましたが tsv 8山村になって くるとやはり恋 tsv が必要になって くるということでようやく3次元の イメージセンサーがこの頃に 登場したと 一方3 d のメモリ これも d ラム前はい band with すメモリーと言われているもの で
(15:01) まあもともと skハイニックスが始めた ものですが今まあ他のまあサムソンさんと かも hb m という名前で商標して いるもので ad ラムを縦に積層する今 hb m 2ですと発想で一層あたりが だいたい50から55ミクロンぐらいの厚 さなどで発送積んでもまた彼だが大した暑 さではないですがこういった3 d の メモリーが発表されたのが2016年です し まあインテルがようやく2020年に ロジック同士の正規総とかこれはまあろ じぇくとキャッシュの積層ですがその上に d ラムをパッケージングアピ op の ような形で積んだようなシステムですが ようやく3 d のマイクロプロセッサー チップなんていうのも出てきたという流れ でございます こちらの頭は横軸年代縦軸が電力効率です ね これはまあ古く2000年より前はムーア の法則に従ってロードマップを捨て進めて いくと 指数関数的にパー fee 1000 c も上がってくると
(16:05) ただまぁ2000年を超えたころからまあ 微細化の指標もだんだん変わって 生きてそれに伴いまぁ最近で17地下いい かを切るところが出来てきてますけれども 電力を率としては線形的に上がっていた ものが 鈍ってきたと でもう2020何年かにはこれがまあ停滞 するだろうというふうにま言われている わけですがこれはあくまで tsv 使わ なかった時の話でございますこれtsv 使った 話に置き換えますとまぁ線形的に伸びて いくという金たま対するとってますけど こういう状態でマティ s boys 使う ことによって非常にへ電力効率の スケーリングもできていくということです これはエース ec の2021年でへ tsmc から発表されてた資料からいた いったものです それでまあよくこのムーアの方へもうアム 後もはザムはというのをあやし表よくご 存知かとは思いますが まあええ どちらかの宿に偏ってしまってもよろしく なくてもアームはの軸は微細化を
(17:12) どんどん進めているわけですが一方で機能 化という意味でいろんなデバイスのヘテロ インテグレーションというのも 進んできておりますこの両宿の前園長に あるのが3 d ic チップで ロジックロジックとメモリーのシステムに おいては昨今 大きなロジックチップの周りに1 bm と いう d ラムを を複数に分けたいわゆるチップレットが ですねええ隣同士で積層されている積層さ れているのはこのシリコンの インターポーザここにも thb m に も tsv 使ってますがシリコンの インターポーザにも tsv を使って おりましてそれがラミネート基板に実装さ れている tsmc の言葉でとちっ本 植えはおんサブストレートというような 形態これがまあさシューティングプリント 基板実装されるというこの形態に どこも落ち着いてきているということで この中でいろいろと技術競争が行われて いるそれに加えてこのチップレッドという 概念が最近 まあ流行りだしたというかですね ロジックチップもそのあのだんだん分割さ
(18:19) れてですねトータルの面積としては若干 大きくなりますがそれでもコストと性能の sksk リングはですね有利だという ふうに言われているというまあこういう m 3つのパラメーターが今のろじぇくと メモリーのシステムの 集積化を進めているというような現状で ございます マーチっぷりととは何かという話でまぁ これもあの よくあのでていることなので まあ私が改めてここで説明することでは ないかもしれませんがまあいわゆる単なる 小さいチップではないよということをです ね でまぁ製造歩留まりが高まってまぁチップ コストが安くなるというのはまあチップ サイズが小さくなるとまぁ当たり前の話で ございますがいわゆる ip ですね知的 所有権を持ったサブシステムであって 既存の開発製品の改良をですね機能 ブロック単位でさえ要素できる形にまとめ た ip コアにま利用料を払って使うと いうことで開発の効率を進める効率的な 手法ということでまぁ darpa の チップスというプロジェクトなので有名に
(19:23) なった言葉でございますまただもともと チップレットという言葉はまあ mems や光学素子などを得られている方小さい家 一方チップレットという言い方も10年 以上前からしてますのでまあ小さいチップ を弾くというわけではないですがまあ両方 含めてチップレットという風に いってまぁ考えておりますがまぁ最近話題 になっている家プレットというのはこの ip サブシステムのことでございます でこれが増し離婚インターポーザを使った 高密のメモリーシステムのまスタンダード な形 なってきてまぁチップレッドというのは もともと fpga のロジックで倍数が で大きいのでこれを分割して積層すぅーっ となりに並べるという いうところからまあ始まったような流れが 翌週られておりますがそれが今では真ん中 にヘ soc のロジックチッププロセス はおいて回りに h ビームを分割した ヨンソ発想のものを並べる断面で書くと このような形というのがあ go 優秀石火携帯がですねハイ パフォーマンスのコンピューティングでは
(20:26) 標準となっていて最近ではモバイルにまで 適用範囲を広げようとしているという状況 でございます えっとそれではですね人気の活動について ご紹介したいと思います エイト準 t ではですね いわゆるマイ工程のプロセスは持っており ませんので マイ工程で作り終わったまっっcmos トランジスターあるいは 多層配線まで完成されたいわゆる二次元の 上刃あるいはチップですねそれを持ってき てそれを産金に tsv を作っ 形成して積層するという まあ仕事を主に行っております まあウエハーサイズは300ミリだけでは なくて間に100ミリあるいは小口径 さらに言えば シャトル便で作ったアカデミーの方がよく 作るチップ5ミリでも2ミリでもですね そういった実父でも構いませんのでそう いったものをまぁ持ってくるところから 受け入れるところからスタートします でまぁ大外へシリコンが熱く数100
(21:30) ミクロンありますので まあそれを薄くするプロセスからスタート しますこれがまあ純輝でいわゆるビア ラストと呼ばれる tsv を作り込む 標準的なプロセスということで紹介させて いただきますまずはそのテンポラリー ボンディングということであとで剥がすん ですけれども薄くしてしまうと ハンドリングが困難になるために一同大に 性の高い接着剤で我々のところがガラスの キャリアに貼り合わせて tsb 形成をスタートしますでそこで シリコンをまあ50ミクロン例えば スタンダードれると50ミクロンぐらい まで機械研削研磨 行ったんな行って薄くしまして 理想を行いますだ理想を行う時にまっさら になってしまったシリコンウエハーに通常 のステパウダーと理想ができませんので 赤外線でですねこのメタル市がをパターン を読み取って表に甘裏にって良いですかね 描画するというこういう手法をとってい ます毒手なステッパーデリスをして 我の場合は多くはメタル1狙って tsv
(22:35) の穴を追っていきます 違法性の高いエッチングを行って手裏今 ですので絶縁膜の cvd で絶縁して ボトムに付いた椅子 o 2を選択的に 取り除いて次にスパッタリングして シードそー次は電解めっきなものですが シードそう深い穴の中に形成します various をなんかも一緒に形成し ますその後電解めっきでボトムアップ式で 成長させて今らがにカッパを充填すると まあトップにはなるべくガッパーが成長し ないような特殊な添加剤等を使っており ますがそれでもこのオーバーガーデンと 言われるものが数ミクのでますのでそれを cap で取り除いて再配線をつくって これは一層ですけれども左右最後にバン ピングをメッキで行いましてこれをたとえ bar ついウエハーに転写する この方式ですとバックトゥフェイスという ような積層方式になりますがまフェイス トゥフェイスでもバックトゥーバックでも それはあの張り替え技術がありますので いろんな形態が撮れまして最後にこの
(23:40) ガラスをレーザーで も高速に室温で 瞬時にですね剥離して接着剤を洗浄して こういう形のすり足が出来上がるという ことでこれに必要な阿蘇家がまあ200 ミリ300ミリ径用の装置がほとんどです けれども そろって居るいるわけでございます まあ標準的には長さ50ミクロン直径10 ミクロンアスペクトルートごとか6ぐらい 飲ま tsv がよく作りますがメタル いきそうに向かってコンタクトを取って したの wii ハートはへマイクロバンプと言わ れている河童ニッケルスズ議員 を使ったハンダで微細な半田で接続すると いう形式でございます えもうちょっと説明しておきますとまぁ 先ほどのプロセスを少し細かく説明したの が午後からの3枚のスライドになります まぁ最初にですね テンポラリー接着でボンディングしますよ
(24:43) という話をしましたがご存知の方はお 分かりかと思いますがシリコンウェハーの エッジベベル部は薄くしてしまうとナイフ エッジと言って尖ってしまう非常にもろい 構造になりますので先にトリミングで 貼り合わせる前にですね我々の方は トリミングというのをしてウエハーの ベベル部を少しまあ薄くする厚さ+数十枚 黒ぐらいの精度でですね一周 トリミングという処理をしてから 貼り合わせます で貼り合わせた後にま検索をするわけです けども大事なのはこのトータルスティック ネスバリエーションという与え 300ミリウエハーでやりますので中心と 端で1ミクロン違うだけでもですね エッチングの 過剰なエッジングりて速いリズム変わって きますので 300名等たるのスティックネス バリエーションがまいちミクの以内に入る ように検索をしていきます一方でハリアー した接着剤はこういうその後に来る cvd やニーリングのプロセスに耐えれるような 250度から3ヴェルド弱ぐらいに耐え
(25:47) られるような特殊な接着剤を使って integration していきます それでまっさらになってパターンのなく なったウエハーに対して まあ赤外線アライメント機能付きのせて 特殊なステッパーでパターニングしますの でアイセンステップは同様すぅ数十7 以下のですねあラーメンと制度で tsv の穴をあけることがまできますと れ cvd は基本的にはこの大熱性の 接着剤と言ってますが 3冊がに300度400ドっていうところ に与えられませんので比較的待てよには 50度から300度弱ぐらいなんですね プラズマ cvd で絶縁膜をつけて底部 だけ除くというようなあプロセスをとって おります その後はまぁここが一番あかなり難しい 技術でございますこういう深い穴 アスペクトが事か場合によっては中 あるいは20に迫るようなですね ir アスペクトの端に対してスパッタリング
(26:50) するというのは非常に難しい技術でまあ 我々ところも tsb 専用に チューニングしたですねような is 度 スパッターというものでかつロングスロー ターゲットとサンプルの距離をですね開け て実効的なああ進捗度を上げたスパッタ 装置を使っておりますが業界最大手の英 マットさんの装置にも10%レベルまあ 我々とこでもまぁそこまで行きませんが 5%ちょっとぐらいのところで まあバリア層とカッパーを でポジションすると その後は選択的に電解めっきを上げてきて 支援 p して再配線するバンピングする と が終わったそれが終わったあとは最後は ダイシングフレームに舞う ガラスと反対側をくっつけて上から レーザーをですね照射してまー1枚の ウエハーの処理は多分数秒ぐらいで終わっ ていると思いますがあっ高速のレーザー 白衣ですねこの接着剤をとって洗浄して 私がこれ今手に持っているのが直径 300mm シリコンウェハ50ミクロに
(27:55) 薄くしたものをマウントした状態で まあ出荷できるとこのままウエハーと言え ばで接合するという選択肢もありまして今 多くはダイシングしてチップというやぁ あるいはチップとエジプトいう形で接合に 持ってきますということでございます そうしましたらですねえっと5分程の人気 のクリーンルームの様子を撮影した動画 ございますのでちょっとそちらをご覧 いただきます voodoo gerne border
(28:58) アーレ gmc das ende are you do used パスプロセス良い一听不 a はい s タイプ米州 dp 4 sen to do by phase soresore to do the blue フォーリーマイクロウインドゥ ft the champ 味覇 バウンダー belen コンバース onose フュージングヒープずんどぅ face the bar ber リール by ヴァンディックさあはカウンターに 暮らすギャル [音楽] ふぇふぇふぇふぇふぇふぇふぇふぇふぇ ふぇふぇふぇふぇふぇふぇふぇふぇふぇ ふぇふぇふぇふぇふぇふぇふぇふぇふぇ
(29:59) ふぇふぇふぇふぇ [音楽] 3 d 5 ed cap fr 4 ge 4 teng 1 d 2 ce n g 4 s タイプチーム e fmh フィンガーズサウン [音楽] react to do see ssri スターパールバディフェレット バイポッドファンク種 apa sr deidara vs naph ファイパールードゥ see her pussy [音楽] soares easteregg プット r 1 ネッツ xen デイズスパーリング c ぽ gsp web フォントロスター ii s
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(33:16) あず美 the display elsker チェン5 c ul スターキング エディション2 d good do do すおーばー gt headway sr 5 e クリーム dressed for 3 ls 5アクション re aguse dm sender as early to do ちょっと長い動画で凝縮ですがこういった ところでへ線併売1000平米近いですね 超えるクリーンルームでこういった活動を 行っております でも人気の紹介ちょっと改めてしておき ますと魔神 t は今はですね東北大学 日経私のをグループと 東北マイクロ t マイクロと呼んでます
(34:21) が東北 microstar 大学発の ベンチャースタートアップ企業ですがここ とのまあコンソーシアムということでええ まあ大学として窓口になる場合はマ共同 研究という形でお引き受けしてま郷土研究 というのがなかなか契約上やりにくいを ただ加工したいだけだよって言うかたちは ですね受託加工だった施策は東北マイクロ テックの方で ま請け負っているというような状況で マトウダイ at マイクロの技術開発は もちろん我々のほうで a まあ面倒を見ているような状況でござい ます 所在地としましては まああの 1000円と今年の4月にです睡姦までは 仙台市の隣に名取と多賀城市というのが ありましてそちらにソニー仙台 テクノロジーセンターというのがありまし てその中でですね震災後みやぎ復興パーク というのが立ち上がってそこで10年ほど 借りて クリーンルームを利用してましたが契約は 10年で終わるということで今度また 同じく仙台市の隣の名取市というところ 大学は列の前に30くるまでに30分
(35:25) ぐらいのところですがそこに移転が ようやく終わりまして10月から再開した ところで今はなんとる主のですね パナソニックさの仙台工場内にクリーン ルームを借りてああああああ 運用をしています でこちらの名取の方のクリーンルームでは まあ8112日の魔王肩の上刃対応の試作 大学の方にも我々のクリーンルーム あるいは教養のクリーンルームを使って ですね小口径の上針はチップレベルの試作 なんていうのをやっているような 大声でございます これがまぁちょっとお店すんの初めてかも しれませんがソニー仙台テクノロジー センターからパナソニックに移転して10 月から本格始動を再開したところのまあ クリーンルームの様子の一部でございます 8まああのまだ見学あの受け入れてなかっ たのですがそろそろ体制が整ってきました ので一度見学にお越し 規定という方は どうぞお声がけください それで東北マイクロテックさんの紹介 ちょっとしておきますと一応本社は学内に
(36:31) ありましてマティーズという立山 nikko の日の隣の建屋がですねえぇ まぁ本社になっておりまして1米国王室も あって結構アメリカからのですね 問い合わせもあるのでそこでアースタッフ が1名常駐してをりましてアメリカのお客 さんの 対応をしているという状況でございますま サポート内容としましてはまあデザイン からですね 試作 まああの 1年の tsv 作製する工程は必要ない けど部分的な明日雲やりたいよという ところであればま各工程の施策で受託加工 受けをだり後は信頼性氷河用のテープで 知ったり大邱作成あるいは大面積な インターポーザや不良解析等とまあ一通り すり足に関わるところは お引き受けできる体制でございます まあ大学等企業大会大学さん向けのプー サービスと企業様向けのサービスという ふうにまあ分けて書いてありますがまあ よく多いのは大学向けですとまぁシャトル 便中で作ったチップ二次元の十方3に ic
(37:37) 貸してほしいというようなところだったり 今 いろいろ加工技術の共同研究だったりと いうのはやっております企業さん向けは まあ試作部分加工全体加工まぁ色んな形が ありますがなかなかこういう 加工できるところがですね国内まあ海外 含めてもですねなかなかないので海外の アーマー韓国台湾なんかも含めてですね そういったところからも明日区の依頼が来 ております道具マイクロテックさあはまた マイクロじぇくさんで独自の研究開発 なんかもしておりまして最近略を先端が 尖って低負荷でですね接合できるこーん ばんぷビジュ技術でまぁ微細なものを作る というのを ピクセル時て来たーーなんかに使うという 研究をやって折ったりします でここからまたちょっと話をが変わりまし てまぁ人気の t 術の研究を紹介する前 にこれは正 定数名のスケーリングでまあだいぶ前に出 たものですが今現状としては hb m
(38:42) などで使われている ts ベル直径が まあ6組9-7ミクの8ミクのこの辺の ところじゃあ spect がやはり号と かそのぐらいですかねこういったところが 間良さんで使われているとあと一方で インターポーザになりますと直径10いう のをアスペクト中ですからこのぐらいの ところがまだケース部位としては麻良山で 使用している領域でございます まあ tsv の方は雨抵抗と容量と いろいろと気にされる わけですけれどもえっとこれは右側にふと tsv のサイズが小さくなっています 横軸ですねで 縦軸の左がその tv の要領で右が抵抗 ですがまぁ当然 tsv が小さくなると まぁ抵抗は高くなってくるアーチ t 術 が細くなってくると抵抗が高くなってくる わけですけどその分容量が下がっていき ますのでまぁ信号線として使う分にはです ね tsv っていうのは非常に70 エレン小さくしてもですね まあ問題にならないで見るまあ電源線なる とまた変わってくるかと思いますがこう
(39:46) いうような状況がございまして えっともう一度我々のグループの tsv の開発をですねご紹介しますと付録はもう に1990年代中盤から2000年初期に ですねまぁ cvd 使った tsv まぁ 当時は垂直埋込配線というのは言い方 バーティカルメリットインター コネクションと言い方をしてましたがああ まあ今の定数3の前身技術です年利ですね もうピッチ 非常に直径で言うと1ミクの綺麗なものっ ては出来上がっておりました 入れたらマーティー年ぶりでつくるという ことで温度的な制約があるというのが正 あったりあとはまあコストが高くなるって 話がまぁ色々と言われまして2005年と か6年超えたあたりから tsv と呼ばれるように間になってきた わけですけれども えーみなさんカッパー電解めっきを室温で ですねやるカッパー使ったがっぱ tsv というのが主流になってきてまあ我々の ほうも heyこうしてですねかっぱの tsv 技術開発というのもやっています 標準的にはへ
(40:49) 10ミクの5ミクロン直径で深さ50 ミクロンぐらいのものから 小江戸長い tsv が欲しいって言われ たりさらにアスペクト比の高いもので微細 なものが欲しいと言われたりあとある マーロウ系のですね全幕を sio 2型 ではなくてロー経済の有機系の幕絵を使っ た tsv なんていう開発をしてきまし たん ただこの3ミクの長々切ってくるところと いうのは従来技術特にこの pb スパッターを使った スパッタリング技術というのがあ 気になりましてなかなか微細化というのは 難しくなってくる中で我々のほうは無電解 の名機技術という上手く使ってこれを使え ますとこれはもう前回のニッケルですけど もトップにつけた暑さに対してボトムも だいたい9割ぐらいの厚さでつくさっきの 5%10%というところから大きく改善 できると言うことが分かりましてこれを 使ってさらに tsv をスケーリングし てきて2008年くらいにはまあ1名と1 メイク退けるような tsv っていうの も 開発できてきていますでこういう技術使っ て
(41:53) じんじんの施策では多いのはまあビア ラスト技術使って3 d のデバイスを 作る3 d 足を作るという話ですねこれ ちょうど後ろからゲイ術開けできて来ない 6市というところにコンタクトさせている 写真ですけども上に渡そう開いたこちらが いわゆる表側なるわけですが裏から開ける タイプ あとはインター棒材を取るエストいわゆる ヴィランミドルというプロセスで ブラインドビアを作ったところに多層配線 作ってその後裏を削ってきて裏にもまた そう配線作るというまこようなサービス 主に行っております でさらに最近ではより100ナノメートル とかそういったところですね tsv 作り込めないかということでまぁ dsa だへと誘導自己組織化ですね日本語で言い ますというふうに金属の名のパーティクル とブロックコポリマーを使ってですねこう いうナノコンポジットの熱処理によって 金属が並ぶうっていう現象を利用して tsv を作り込むなんていう研究をして いますまだこれは施策の方で使えるレベル ではないですけど基礎検討がだいぶ進んで きまして
(42:57) えーまぁ近い将来ですね tsv の用途 として展開できるということを検討して いるところでございます それで一方で低 s v 同士をつなぐ まあ bump あるいはバンプを使わ ないで接合をしようとする技術というのが ああいうののかいろいろ出てきましてまぁ 我々ところはバンプのスケーリングという ことでまぁ基本的にはカッパーのポストと 半田鈴 を使った接合を10ミクロンピッチまで スケーリングしたりさらにはもう少し低音 のインジウムとかを使って 5ミクロンピッチのものを作り込んだりと いうことはできています一方で世の中 ソニーさんのイメージセンサーの方で3で 足がまーやーまあ有名になってきましたが え まあここではですねダイレクト ボンディング sio 2 day 作用 2をこの海面で接合させて長さの違う tsv を2本作って上下を結んだりとか ですね最近ではハイブリッドボンディング と言ってカッパーとか場合左右2と si 物を同時にボンディングして絵馬フェイス トゥフェイスで接合するような技術ができ て生きています我々はまあ半田を使って
(44:00) 多層化するですとかあるいはこの 我々ところもこういったハイブリッド ボンディングの研究も行っていましたが まあ面白い財力ら fujifilm さん の愛 acf in オーガニックの表 導電フィルムですがあのアルミの陽極酸化 を使うと60nm ぐらいの直系のある穴 がある皆の中にできるとその中にカッパを 詰め込むというこういう特殊な面白い フィルムがありましてこれは間に挟んで 接合すると異常に狭い一致でも同2できる とまぁこちらの技術 ハイブリッドボンディングとかダイレクト ボンディングタイマー cmp のせい ちょっと article の管理という のはもうすごい厳格でお金のかかる技術で ございますがこちらの技術はそこまで厳格 にですね支援 p のティッシュ具と コントロールしなくても接合ができると いうことでこういう 技術の開発をしていたり 最近では ダイレクトボンディングの接合技術 ハイブリッドボンディングの接合技術も 進んで我々ところでも進んでおりまして まあなかなかお客さんのアレで出せないん
(45:04) で日発表データですけれども 接合界面にですねシンカーシングルプレイ になるという大きなあー海面が出ないよう なですね接合なんていうのも出てきており ますまあ多分近い来年あたりどこかの学会 で発表できるんじゃないかと思っており ます ヘテロ集積実際デバイスを集積するという 研究に関して いくつかご紹介しますと え 一番最初はこれは江村無音ロジックという ことでまぁ東邦大学あのスピントロニクス の研究非常に盛んでございますがそこで 作られた magnetic トンネル ジャンクションを使ったデバイスを ロジックデバイスの上に tsv 使って セックスをする技術を あってみたりまあ mems まあ東大学 mems も非常に熱しにやられているん で mems と cmos を せキスをしたデバイスをつくってみたり ですねあとは光電子集積ということでまぁ 光インターコネクションということで10 分間を光配線で結ぶっていうのも従来から やってたんですがこれはチップない tsv 電気的に結ぶ カッパー tsv とシリコン導波路光
(46:10) tsv ですねこれを作り込んで a垂直 方向から横方向に信号 伝播するまあ特殊なグレーティングカプラ あデバイスを作り込んだまあひかり伝集積 という研究も行っておりますし あと最近では ai に向けてニューロ チップということで ロジックの上にディーラー6を積んだよう な構造ですがまぁ 人工知能の計算は重み付けしてたくさん 計算して出力するということですがこの 計算が多くなれば多くなるほど例えば横 方向にデバイスくるとチップの面積が 大きくなってしまうと でじゃあこれを縦方向に積層したらどうか ということで縦方向に変え重ねても席素数 がどんどん多くなってしまうということは 変わらないんですが我々ところはあそこを ですね一度上に入れた 下にで計算した信号上に送ってそれを戻し てサイクリックに計算させるということで 積層数も少なく 人工池の実父として人コーチのチップとし て有効な技術というの尾根道の プロジェクトで最近行っております
(47:14) こちらは幾千 ct で manis を 積層ちょっと小さくて申し訳ないですが まあ1ミクロンぐらいのボーイドラ ギリギリ見えるような技術でございますが 来 tsv っとバンプで作り込むとまぁ ボイドなくできてますよというのが分かる ような 動画でございます あとは8ずっと 生 瑛太と途中でも何度か紹介したんですが まぁ 赤で皆さん向けというふうに限定したわけ ではないんですがまぁ羽生 tsmc と かマブイレク等で作ったですねシャトル サービスで作成した2次元のチップを3 次元化しましょうってプロジェクトも行っ ていました今今でもこの技術が生きて いろんなところにしておりますが 例えばこれはまあテクノロジーも違う まあ多層配線の風まあこれチップサイズは まあ幸いには近い形ですがチップサイズが 違うものでもできます dmc で シャトルいいね作ったイメージセンサーや 8 ad コンバーターとうとうので by そうですね3 sogo れ重ねて最後に マイクロミラーやカラーフィルターなんか
(48:19) もチップレベルでセックスをして機能を 検証したと言う猫レモネードプロの一部で ございますがこんなこともできます あとは多いのがインターポーザですね チップ面積が50ミリ角とかデマ ステッパーのワンショットを超えるのです ピッチングしてつなぎ合わせたりするわけ ですけれどもこういう大きなチップの中に へ直径10ミクロンで長さ100ミクロン の tsv で作り込んだシリコンの インターポーザを作ってほしいという要求 が多くこういったものの作成からまあ後者 は特性見たいですね信号伝送をの解析をし たりというのもよくやっております あとまあながらかあのお客さんの仕事なの で公開できる物も少ないんですが学会発表 等で我々の名前を使っていただいている ところをいくつか紹介しますとペトロさん のホトニクスの過去なんかもこれ応物で 発表させていただいたやつで 協力させていただいていますとしたは韓国 の餌取これ電子通信研究員ですね ここでは高周波のデバイス rf 用の
(49:23) モジュールを作るのにやはり誘電率の低い 絶縁膜は tsv に欲しいということで 我々の蝋型 絶縁膜を tsv にインテグレーション して インターポーザをつくってこれはあの パッケージングれ最大の国際会議である etc で800発表させていただいた ティ発表されたデータですが右叩いのまあ 高空飛行機の中で使うですね rf具合し 用のモジュールに家使った tsv が これも発表されております あと最近略女の tsv というのが できるようになってきたのでこれを何とか 他のものに生かせないかという事で一つ ウエハテストに使うプローブの検査の張り ですね従来のものでた後半だーに大きな後 はついてしまって後つけちゃうと思う この後バンプが使えなくなるわけです けれどもこのなのは針をですね pcb の 上にインテグレーションして使うという ことでまぁ新しいテスト技術として使える
(50:28) んじゃないかというのは東京星見さんと やってたりしています はい それで今までちょっといくつか出てきた中 でもう一度整理していくとまぁ将来的には いろんなものが高3次元化していくという ことなんですがこういうのを作るのはどう いう方式が一番ベストであろうかという ことがここでまとめてあります まあこれは まあ一番トラディショナルな方式はちっ本 チップということで良品チップを持ってき てですねチップと次プレどんどん重ねて いくというまあ確実で歩留まりが高いん ですがする打った極めて低いと言うまあ 従来のパッケージングの方式に対して究極 的にはまあ我々が始めた上ハートウエハー って上刃をウェアーって言ってたりそう いう方式がまあまあまあ米するブッダも あのもちろん一番いいんですがやはりこの 方式の欠点っていうのはながらがウエハー というウエハーの場合上版らかの歩留まり っていうのがありますので100% 歩留まりのウエハーってながらがないそう すると積層するが重なるにつれて歩留まり が悪いところが重なってきて指数化する的
(51:32) に歩留まりが落ちてくさらにはコストが 高くなると さらにはチップサイズを同じにしないと ですね無駄が多くなってしまうというそう 設計上の制約なんかも出てきてしまう で一方で10本ウエハーという方式途中 ビデオの中でも紹介しましたが良品チップ を持ってきてピック&プレースでうわぁ ウエハーの上に良品チップで並べて良品 チップを敷き詰めた上刃を作っちゃおうと いう派手ながせるところウェアで流して 食って方式がまあ両方のいいとこどりが できるというふうにまあ言われているわけ ですが動画の中でも少しでいきましたが 液体の表面張力を使った技術ということで 結局はこのビッグアンドプレースのところ が立即になってスループットが悪くなって くるのをその液体の表面張力を使ってです ねせるファーセンブリと技術を使って そこのスループットを上げようという研究 あるいは精度を高めようという研究後で ちょっとご紹介しますがそんなことも行っ ております でこれがこれが3足出てきたあー期待の 表面張力使った自己層しか実装技術でへ まあ原理的にはあ
(52:37) 親水性の料理塗装彗星の領域を作り開けて 親水性の領域のところに液滴を我々の場合 はあ 形成してそこに今十方落としてあげるだけ でチップが高精度にアライメントすると いうことでこちらはこの辺からチップを下 に落としていきますだいたいごま5ミリ ぐらい高いとかごれってでピンセットで もってを通してくるわけですがその側面を 拡大して高速カメラで写したのがこっちで ございますちょっと同時に流れちゃうんで 見づらいかもしれないですけど例えばここ 90度わざとずらして落としてもですね 落とした瞬間にまあきれいに写るとまぁ ちょっと動画とるので optimize できてないのでちょっと時間かかりました がまあうまく青ピ前すれば0.
(53:20) 1秒も瞬時 に位置合わせが起こります でまぁこちら高速カメラ見てもらうと わかりますがアマーラフに上からをことし てるんですが高精度にアウトだでこの役的 というのは室温で簡単に飛ぶものですので これをチップとウエハーの方式に適用でき ないかというのを人気でも開発しており ます 手ブロタイプの装置をつくりまして例えば 良品十方校まあワッフルと例のようなもの に入れて並べておくとこの時の並べ制度 ってのはまぁ30ミクロンだ50ミクロン で非常に ラフに置いておくとこれを一括で ピックアップして 搬送するこれが500個の5ミリ角シップ を搬送している最中の写真でございます これを駅て気を付けたウエハーのところに 正位置合わせしてません密な一麻入りませ んが 設計チップを落とすと まあ言ってネジポートして意外と難しくて ですね公益かけをみたいなのを作るように まぁちょっと役的に接触させてシンクオフ にしてあげると
(54:22) 高精度りその精度ぐらいで位置合わせが 起こって一括で実装できるという技術の 開発をしております これはまああの最終的に乗せたいウエハー の上にどんどん載せて食って方式もあり ますがああああ 一つ我々方では転写方式というのを採用し ています 転写方式というのはまあ離婚フィアード ウエハーてウエハーという名前で呼んで おりますがキャリアウェハーの上にマ流 テストして良品チップを並べてきます持っ ていきますの実装したい十方を呈すとして 持ってきてこれを せるファー全振りで駅的な表面張力で アセンブリするこれを反転させて ターゲットの上派まあインターポーザなど の上にボンディングして停車するとこれを 2層目3層目 やって繰り返して転写していくことで何 そうでも10符サイズが入って一緒じゃ なくてもですね アセンブリして tsv 作るという プロセスが ができます こういう形折り込んフィギュアの上初田
(55:26) ウエハーとまぁだいぶ古くに提案したもの ですが今これをいろいろ 使って試作を行っております でまぁここはそのまあ実は二通りありまし て先ほどの転写方式と直接雪を積層する って方式ももちろんやっておりますこれは 今業界標準になっている先塗りのアンダー フィルというのん混濁と言うフィルムです がウエハーレベルで アンダーフィル剤を最初に塗ってその後 ダイシングしたものを アセンブリーしていくわけですけども ウエアーレベルアンダーフィルと言われて いるこの材料ですがウエハーレベルで できるのは貼るとこまでその後はチップ一 個一個河和線ボンディングしていくわけ ですが我々の技術買うと子もまあウエハー レベル次回一括でですね アセンブリーして水を飛ばした後に熱圧着 してあげると積層したいウエハーの上に 直接こう多層構造が作れるというこういっ た技術の開発や a これは完全ウエハー レベルの積層 あるいはさっきのこれはフェイスダウンの 方式になりますがフェイスアップで先ほど の離婚フィガードウェア方式を使えますと
(56:31) キャリアウェハーの上にへフェイスアップ でチップをアセンブリーして これは sae 静電チャックで吸着する ような仕組みも作っておりましてこれでも ええ2番目のキャリアをウエハーの上に 十方点車 tsv を作りたければ薄く指定 tsv 作ってバンピングしてこのターゲットの ウエハーの上に祭典車こういうのを 繰り返すとまぁコレバックトゥフェイスで もフェイストゥフェイスでもですね こういった積層方式ができますという話で ございます実際にセックスをしするとこう いう形に このセラー全部技術は実は3 d ic の 研究だけではなくて 要は最近小さいもので大量に高速に高精度 に載っけたいという要求がマーチプレート の話もその一部になるかと思いますが出て おります その中で一つまあマイクロ led の ディスプレイというのがマジ世代のその ブラウン管から液晶に変わった以上の技術 革新と言われている技術で正祐tl 置き換えたいということで皆さん一生懸命 開発されているわけですが一番のボトル ネックはチップのアセンブリでございます
(57:37) その10分あ全部龍宮のマイクレイリー ぐらい小さいですね0.1ミリ起きるよう なアーチップにも適用できますちょっと 同じ方式ではないんですが似たような方式 を使って壊せるはぁセンブリしていくと ますでまぁどこまで小さいところで アセンブリができるのかなんていうのを 検証してましてこれは0.1ミリのチップ ですがセンブリされるところを動画に収め ているところでございますまあレディー ジミーが簡単に出来るんですが 例えば50ミクロンでもハセンブリできる かとかですねさらに10ミクロンこれ ちょっとまあ背の高い直方体みたいになっ たますがこういったものもですね目的の 場所にこう搭載できるということで将来的 には10ミクロンあるいは準備を着るよう なチップのですねこう即日となんていうの も検討しております 実際にマイクロ edy を使ってですね ディスプレイまだの画素数ものすごい 少ないですけどもプロっドライブのもの なんかを学生に作ってもらったりもしてい ます16枚くらい d の 積層製造プロセスであるですねこのます トランスファ 薄くて小さくて脆い led チップを
(58:42) 判断に実装しなきゃいけないわけですけど もまぁますトランスは者線 bully と インターコネクトが大きな課題になってい ましてまあ熱圧着して力かけるとチップが 割れてしまったりチップが小さくなると 判断の子ばらつきが大きくなったり ショートしてしまったりという問題がある のでこのアセンブリーとインターコネクト いうのはマイクロ led の技術でも 問題になってるんですがファンなぁとの ウエハーレベルパッケージングという技術 使ってよは樹脂を使って成形加工してあげ て電極をこうだした形でフラットに整形 するという技術がありますのでそれを うまく使って やるとまぁ平らにできるとウエハー プロセスは強いので 接合しなくてもまあスパッタリング あるいはメッキ等ですね配線作って繋げる ということで3色の衣類に光らせるという ことに成功してもまあこれ今我々研究的な でわざとフレクション秒なものにつくり ましたがまリジットのものでもできます まあこの概念というのはマーチプレットの 概念なんですがまあ我々ところはその フレキシブルので高性能なフレーク支部の デバイスを作るのにご従来の熱いチップを
(59:48) まあ薄くするとですね確かに薄い血プって あのう こう曲がるんですねただ曲がってしまギア シリコーン曲げてしまうと応力がかかるの で特製変動が起こるということでまああの 2015年くらいから始まった星アメリカ のセミオー主導とした fhg の プロジェクトフレキシブルハイブリッド エレクトロニクスでは薄い シリコンと印刷技術をつくってまぁ in てくれるスコアフレキシブルデバイスの インテグレーションしようなんてことを やってますが我々のところはそうではなく てこの機能ブロック分割したチップレット ですね zippo 小さくまぁ適度に 薄くしたものあるいはもともと薄いチップ も含めてインテグレーションして 樹脂の中に埋め込んでチップと10本結ぶ これがまあいわゆる fun now と 配線って言っているところですね実父から 外に拡張する配線で結んであげるこの技術 使うと3 d ic もうを埋め込んで フレキシブル化することができたりするっ ていうことでございます実際例えば1ミリ 角のジップを怒ら pdms というゴム 減らすともある埋め込んで敗戦でつないだ ものでございますがまぁストレッチャー
(01:00:51) ブルには設計してませんが10年かなり 柔軟な構造になります 今これを使って例えばスマートスキン ディスプレイということでへ 樹脂の中にですねまぁミニ led マイクロまで行かないものをわざと ちょっと使ってますがそれと3 di sini フォトダイオード積んだ者それ と後マイクロ led のドライバー積ん だチップを3 d ic 化して tsv でマイクロエリーを積層して樹脂の中に 埋め込むとでここから出てきた日狩りを ですねまぁ皮膚ヘモグロビンとで貼っ吸収 反射してフォトダイオードで受けてその 出力を積層したマイクロ edy に包ん であげると 例えばかまだ出来て今年やり始めたらで できてませんがイメージ的なこうやって はって 自分の血管のですね血栓の予防だったり そういったことができないかなという デバイスをやっています今マイクロエリー の実相なんかにも成功して実際にこう 小さいチッパーセンブリして光らせると いうことができています でまぁ3 d ic もですねこれ今積層 して tsv 持ったチップですけれども
(01:01:54) 分けて分割して行ってあげると非常に 小さい曲率でもですね曲がるようになると いうことでか体デバイスがもちろん主流に はなりますがフレキシブルデバイスも いろいろと金を g デバイスなどでは使われてくるという ことでこういったデバイスの開発なのかも しております て残りあと8すいません5分ぐらいしか ないんであるんですけどもまぁ今後の3 dac の展開ということで少しお話をさ せていただきます えーとこれはまぁ私がまーうん加わって いる ヘテロジーニアスインテグレーションの ロードマップアイドルプーリーのれくと ロブに x パッケージ6ソサエティの キーコントリビューターのメンバーの中に 入れさせていただいてまして インターコネクト様は排泄 tsv 含め たですねその辺のアーキテクチャのロード マップを作っております ここで言っているのはまぁ今後 多様な機能を付加する必要性というのが出 てきて知りこのブドウマリモをあげなきゃ いけないそしてたええたい夢という マーケットを早くしなきゃいけないって いうことでヘテロジーニアス
(01:02:57) インテグレーションいろんなデバイスは インテグレーションする必要性が高まって くるとそんな場で3 d の構造というの は気になってきてコンパクトな形状で チップ間梱包ネット感を短く効率よく 号帯域で接続するためにはこのヘテロ ジーニアスのインテグレーションのキス 基盤が技術が 必要ですよということでこういうのがまあ 構成のウソなサーバーだけじゃなくて フレキシブルなウェアラブルな電子機器 まで様々なアプリケーションで 対応する技術になるという風に言われ我も 言っております まぁ今後どういうデバイスが出てくるかと いうことそれに3足がどうやって使われて くるかということを少し説明したスライド いくつか用意しましたがまぁ cpu gpu ai チップまぁこの辺 は 確実にも今後も出てくる ai はさらに 伸びてくるさらに量子コンピューターが出 てきて敗戦で言いますと電気だけじゃなく て光が出てきたりあとはワイヤレスですね ポスト5自粛 g の技術が必要になって くるということで今まあ人工知能チップと
(01:04:01) いうかまぁ高速な計算が必要される gpu そうではまあこの先ほどの真ん中に プロセッサーでへ サイドに大容量のメモリーに3次元メモリ を積んだこういう形を知りポインター poser でのっけた形がまあ知るよう になってくるまあこれは今後も継続して いくということで3 d i t s v の技術はここにも使われてますしここにも 使われていますあるいはニューロチップ 自体も3 d になってくる ということが予想されるわけでございます 今後どんなデバイスが出てくるかという ことでまぁもちろんデバイスもですね トランジスタレベルで3次元 あるいはさっきモノリシックという話をし ましたが例えばトランジスタんそうに酢を 重ねるとかですねそういった技術を積ん そのいた技術をつ搭載したいわゆる二次元 ので倍数に時期のではして言い方ですけど まぁ tv つかんないデバイスチップっ ていうのもまでてくるとそういうのを さらに積層して高性能化する上で tsv てなやはり外せない技術 結構いろいろなすチップを積層する
(01:05:04) あるいはシリコンのインターポーザい従来 の勇気では実劇的な高速ノア信号伝送する のに tsv が必要になってくるということは 変わらず いくだろうというふうに予想しており あとは将来的には正熱の問題なんかも考え ますと例えば下にロジック上にメモリなで 上に 8ヒートスプレッダーなんか持ってきます と へ ロジックの熱がメモリ通して伝わって しまうということは避けなければいけませ んので例えば微小なまぁシリコンチーム兄 とかカッパーインレーとかって言った ビジョンなコンポーネントなんかも積んで 電気的な信号配線と熱的な 放熱技術なんていうのはこう インテグレーションしてうまく 信号伝送と熱設計を施したあデバイスと いうのがまあ重要になってくるとその中で 熱を逃すところにも ts 船つ tsv 放熱 tsv っていうかねそういったの も としても使われてくるだろうというふうに 予想しております あとはまあ量子コンピューターの世界で
(01:06:09) 言いますとやはり量子コンピューター今で も人金利ですねアメリカの方で量子 コンピュータやっているグループから知り このインターポーズをつくってほしい なんて話がきますまあここの量子 コンピュータを積んだあプロセッサー チップとその他のデバイスをつなぐところ にも tsv で出てきますしその他の デバイス長いも当然シリコンが資料主流に はな主役にはなってきて という風に考えておりまして dsb て は引き続きこういった量子コンピューター の システムインテグレーションでも重要に なってくると rf システムモジュール5 g ポスト 5時6時のところでもええまあこういった 化合物がまあ当然入ってくる余地があると 思うんですが増し離婚が主流であってまぁ power amplifier のよう にですね大容量のパワーが必要になるよう なデバイスは一部 こういったガリウムナイトライドそのよう に置き換わってくるところもまあ出るくる かと思いますが基本的には3次元構造 tsv 使ったデバイスというのは どんどんどんどん 知るようになってきて前ている g ニュースインテグレーションというのが
(01:07:11) 今後も盛んになってくると アメリカなんかではまあこれは tsb た またちょっと違うんですが先ほどの パッケージング いくらシリコンから上をですね高性能にし てもこのプリント基板の技術が追いついて こないとまぁあまり意味がないじゃない かって話もあるんですがそういうのに 気づいているグループはですねもう全部の システムをシリコンの上で作っちゃ auto ま tsmc 脱退これセレブ ラスさんで 例えば300mm ウエハーの中に21 センチのチップを作ってまあもちろん状況 性をもんだしてますんでまあ歩留まりが 悪かったらこれが動かないってわけじゃ ないと思うんですけどもこういうパワー チップの中に全部のシステムを組み込むと んですねまぁセレブらさぁの3月に私が いいしてるアイドルリーの eps の ジャパンのシンポジウムでお話をして もらうのでもし興味があれば3月4日の 公園聞いて頂ければと思うんでこういった ものも出てきているということで最後に まとめますと 人工知能社会の本格的な到来により今ハイ パフォーマンスのコンピューティングや
(01:08:14) モバイル用途だけではなく ai もちろん 量子コンピューターやポスト5 ge 6 ge 7 logic メモリアナログデジタル根菜 の新しい半導体システムに対する要求が 高まり 世界中で研究開発競争がまあ今激化して いるとこの中心となるのが3次元積層型の 半導体3 d ic であってここでは まあ東北大学で誕生 c 豆腐大学が けん引してきたこの3 d ic の開発 拠点 人ティですね活動について紹介させて いただきました 神 t は300ミリウエハーを用いて最 先端の3リア州を一貫して柔軟に1作製造 できる日本で唯一世界でもまれなクリーン ルームを有しておりますこのたびまあ みやぎ復興パークからですねパナソニック の仙台工場名取市に移転して活動を再開し ました 今回は世界が注目している3 d ic の 動向を含めて先駆的な純機の研究開発の 歴史あ世界規模で共同研究を行う人気の 試作流星系さらに新しいすり足を提案を橋 アースリーダー氏の提案を発信する人体の 際の技術について紹介させていただきまし た東武大学日中英福島研究室では共同区
(01:09:20) 研究キーマイクロではま受託御支度をしと してま3 d ic と閉店の修正技術を 基盤とした研究開発の主に今後も取り組ん でいきますということで ご清聴どうもありがとうございました

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