SiC SBDの試作とパワー半導体デバイスの測定

2021年度 微細加工技術 実習コースの紹介動画です

【アドバンス実習】(No.11)
「SiC SBDの試作とパワー半導体デバイスの測定」
SiCショットキーバリアダイオード(SBD)の試作を行い、1kVまでの耐圧測定等を行います。SiC SBD試作と測定の実際を学べます。講義・実習はオンラインも選択可です。
 日程:2日コース(12月-1月の間で受講者と調整)
 定員:3名
 参加費:5万円(材料代込み)
 実施場所:広島大学(広島県東広島市/オンラインも選択可)

他の実習コースなど全体の概要はこちらのWEBサイトからご確認ください

実習コースに参加ご希望の方は、下記WEBサイトよりお申し込みください
申込期限:8月27日
https://nsn.kyoto-u.ac.jp/p/seminar2021-2-2.html

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