トランジスタ

トランジスタは、電子機器において信号の増幅やスイッチングを行う半導体素子です。主に3つのタイプがあり、バイポーラジャンクショントランジスタ(BJT)、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)、およびジャンクション電界効果トランジスタ(JFET)が含まれます。

BJTは二つのPN接合を持ち、NPN型とPNP型の2種類があります。基本的には、ベース電流の流れによってコレクタ電流を制御します。これにより、電流増幅やスイッチング動作が可能となります。

MOSFETは、4層の構造を持つ半導体で、ソース、ゲート、ドレインという3つの端子があります。ゲートに電圧を印加することで、ソースとドレイン間の電流の流れを制御します。MOSFETはNチャンネル型とPチャンネル型の2種類があります。

JFETは、チャンネルを形成するN型あるいはP型半導体と、ゲート部分に形成されたPN接合から構成されます。ゲートに電圧を印加することで、チャンネルの電流の流れを制御できます。

トランジスタは、アナログ回路やデジタル回路において基本的な構成要素であり、集積回路(IC)に組み込まれています。アプリケーションに応じて異なる特性を持つトランジスタが使用され、エレクトロニクス業界において重要な役割を果たしています。

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