半導体・IC

半導体は、電気の導通性が導体と絶縁体の中間にある物質で、現代の電子機器の基本要素です。IC（集積回路）は、半導体素子を用いて作られ、複数の電子部品が一つのチップに集積されています。

半導体製造の主なプロセスは、ウェハー製造、フォトリソグラフィ、ドーピング、エッチング、薄膜堆積、プローブテスト、ダイシング、パッケージング、および最終検査です。

ウェハー製造: 純粋なシリコンを高温で溶かし、結晶を形成させ、薄片に切断してウェハーとします。
フォトリソグラフィ: 光を利用して回路パターンをウェハーに転写します。フォトマスクを使い、紫外線に感光させたフォトレジストに回路図を焼き付けます。
ドーピング: ウェハーに不純物を添加し、シリコンの導電性を制御します。
エッチング: 不要なフォトレジストや金属層を取り除き、回路パターンを形成します。
薄膜堆積: 化学気相成長（CVD）や物理気相成長（PVD）を利用して、微細な金属層や絶縁層をウェハー上に堆積させます。
プローブテスト: ウェハー上の回路が正常に動作するかテストします。
ダイシング: ウェハーを個々のチップ（ダイ）に切り分けます。
パッケージング: ダイを保護するため、パッケージング材料で封入します。
最終検査: 品質を確保するため、機能と信頼性を検査します。

半導体製造は高度な技術と精密なプロセス制御が必要で、産業競争が激しい分野です。継続的な技術革新により、半導体はさらなる高性能化・小型化・低消費電力化が進んでいます。